• نموذج المنتج K4A4G085WE-BCRC
  • العلامة التجارية Samsung Semiconductor
  • RoHS Yes
  • الوصف DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
  • تصنيف ذاكرة
  • PDF
المخزون:9500

التفاصيل الفنية

  • نوع التثبيت 78-FBGA
  • عدد اللفات Surface Mount
  • Q @ التردد 4Gbit
  • مادة الغلاف Volatile
  • عزم الدوران - برغي 0°C ~ 95°C
  • القطر - الداخلي 1.2V
  • ذاكرة DRAM
  • Parallel
  • 512M x 8
  • Not Verified

المنتجات ذات الصلة


DDR3-1866 1GB (64MX16)1.07NS CL1

المخزون: 1082

LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20

المخزون: 2560

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP

المخزون: 0

DDR1 256Mb(16MX16)400Mhz 5ns CL3

المخزون: 6000

IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II

المخزون: 0

IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA

المخزون: 0

Flash NOR Parallel , 128Mb, 3V,

المخزون: 1728

FLASH NOR 8MB 3V TSOP (BTM BT-BL

المخزون: 768

Top