التفاصيل الفنية

• نوع التثبيت 8-XFBGA, DSBGA
• عدد اللفات Surface Mount
• الجهد الكهربائي NAND Gate
• عزم الدوران - برغي -40°C ~ 85°C
• القطر - الداخلي 0.8V ~ 3.6V
• التيار - انحياز الإدخال (الأقصى) 4mA, 4mA
• نسبة نقل التيار (الحد الأقصى) 2
• أقصى فولتية تيار متردد 8-DSBGA
• قوة غاوس 1.6V ~ 2V
• القطر - البرميل 0.7V ~ 0.9V
• العرض - من الداخل 6.7ns @ 3.3V, 30pF
• 2
• 500 nA