- نموذج المنتج BY25Q16BLMIG(R)
- العلامة التجارية BYTe Semiconductor
- RoHS Yes
- الوصف 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
- تصنيف ذاكرة
-
PDF
المخزون:1500
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت 8-UFDFN Exposed Pad
- عدد اللفات Surface Mount
- Q @ التردد 16Mbit
- مادة الغلاف Non-Volatile
- عزم الدوران - برغي -40°C ~ 85°C (TA)
- القطر - الداخلي 1.65V ~ 2V
- وظيفة - الإضاءة FLASH - NOR (SLC)
- الجهد - VCCB 108 MHz
- ذاكرة FLASH
- أقصى فولتية تيار متردد 8-USON (2x3)
- 3ms
- SPI - Quad I/O
- 8 ns
- 2M x 8
