التفاصيل الفنية

• نوع التثبيت 8-XFBGA, DSBGA
• عدد اللفات Surface Mount
• الجهد الكهربائي NAND Gate
• عزم الدوران - برغي -40°C ~ 125°C
• القطر - الداخلي 1.65V ~ 5.5V
• التيار - انحياز الإدخال (الأقصى) 32mA, 32mA
• نسبة نقل التيار (الحد الأقصى) 2
• أقصى فولتية تيار متردد 8-DSBGA (1.9x0.9)
• قوة غاوس 1.07V ~ 3.85V
• القطر - البرميل 0.58V ~ 1.65V
• العرض - من الداخل 3.3ns @ 5V, 50pF
• 2
• 10 µA