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Modelo de producto
HYB25D512800CE-5
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Marca
Qimonda
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RoHS
No
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Descripción
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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Clasificación
Memoria
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PDF
Detalles técnicos
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Tipo de Montaje
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
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Número de Vueltas
Surface Mount
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Q @ Frec
512Mbit
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Material de la Cáscara
Volatile
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Torque - Tornillo
0°C ~ 70°C (TA)
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Diámetro - Interior
2.3V ~ 2.7V
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Función - Iluminación
SDRAM - DDR
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Voltaje - VCCB
200 MHz
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Memoria
DRAM
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Voltaje máximo de CA
66-TSOP II
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Parallel
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64M x 8
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Not Verified
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