- Modelo de producto THGJFJT2T85BAT0
- Marca Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- Descripción 512GB UFS V4.0
- Clasificación Memoria
-
PDF
Inventario:1651
Detalles técnicos
- Tipo de Montaje 153-BGA
- Número de Vueltas Surface Mount
- Q @ Frec 4Tbit
- Material de la Cáscara Non-Volatile
- Torque - Tornillo -25°C ~ 85°C
- Diámetro - Interior 2.4V ~ 2.7V
- Función - Iluminación FLASH - NAND
- Voltaje - VCCB 2.32 GHz
- Memoria FLASH
- Voltaje máximo de CA 153-BGA (11x13)
- UFS 4.0
- 512G x 8