• Modèle de produit MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR
  • Marque Micron Technology
  • RoHS Yes
  • Description IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA
  • Classification Mémoire
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Inventaire:1500

Détails techniques

  • Type de montage 200-WFBGA
  • Nombre de Tours Surface Mount
  • Q @ Fréquence 4Gbit
  • Matériau de coque Volatile
  • Couple de serrage - Vis -30°C ~ 85°C (TC)
  • Diamètre intérieur 1.1V
  • Fonction - Éclairage SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Tension - VCCB 2.133 GHz
  • Mémoire DRAM
  • Tension alternative maximale 200-WFBGA (10x14.5)
  • 256M x 16
  • Not Verified

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