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Modèle de produit
HYB25D512800CE-5
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Marque
Qimonda
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RoHS
No
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Description
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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Classification
Mémoire
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PDF
Détails techniques
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Type de montage
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
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Nombre de Tours
Surface Mount
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Q @ Fréquence
512Mbit
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Matériau de coque
Volatile
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Couple de serrage - Vis
0°C ~ 70°C (TA)
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Diamètre intérieur
2.3V ~ 2.7V
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Fonction - Éclairage
SDRAM - DDR
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Tension - VCCB
200 MHz
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Mémoire
DRAM
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Tension alternative maximale
66-TSOP II
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Parallel
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64M x 8
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Not Verified
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