Détails techniques

• Type de montage 32-VFQFN Exposed Pad
• Nombre de Tours Surface Mount
• Nombre de bandes LVCMOS
• CCT (K) 4.4GHz
• Matériau diélectrique Fractional N Synthesizer (RF)
• Distance de détection LVCMOS
• Couple de serrage - Vis -40°C ~ 85°C (TA)
• Diamètre intérieur 3.135V ~ 3.465V
• Matériau de filament 1:2
• Diamètre du filament No/Yes
• Tension alternative maximale 32-VFQFPN (5x5)
• Accélération Yes
• Protection Yes/No
• 1
• Not Verified