- Modèle de produit K4F6E3S4HM-MGCJ
- Marque Samsung Semiconductor
- RoHS Yes
- Description LPDDR4 16Gb x32 3733 Mbps 1.1v
- Classification Mémoire
Détails techniques
- Type de montage 200-TFBGA
- Nombre de Tours Surface Mount
- Q @ Fréquence 16Gbit
- Matériau de coque Volatile
- Couple de serrage - Vis -25°C ~ 85°C
- Diamètre intérieur 1.1V
- Tension - VCCB 1866 MHz
- Mémoire DRAM
- Parallel
- 512M x 32
- Not Verified
Produits connexes
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 200TFBGA
Inventaire: 266
DDR4-2400 4GB (512MX8)0.833NS CL
Inventaire: 8000
DDR3-1866 1GB (64MX16)1.07NS CL1
Inventaire: 1082
DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
Inventaire: 1953
LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
Inventaire: 2560
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
Inventaire: 0
DDR1 256Mb(16MX16)400Mhz 5ns CL3
Inventaire: 6000
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Inventaire: 1211
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Inventaire: 2297
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Inventaire: 784
