- Modèle de produit THGJFJT2T85BAT0
- Marque Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- Description 512GB UFS V4.0
- Classification Mémoire
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Inventaire:1651
Détails techniques
- Type de montage 153-BGA
- Nombre de Tours Surface Mount
- Q @ Fréquence 4Tbit
- Matériau de coque Non-Volatile
- Couple de serrage - Vis -25°C ~ 85°C
- Diamètre intérieur 2.4V ~ 2.7V
- Fonction - Éclairage FLASH - NAND
- Tension - VCCB 2.32 GHz
- Mémoire FLASH
- Tension alternative maximale 153-BGA (11x13)
- UFS 4.0
- 512G x 8