Détails techniques

• Type de montage 8-XFBGA, DSBGA
• Nombre de Tours Surface Mount
• Tension NAND Gate
• Couple de serrage - Vis -40°C ~ 85°C
• Diamètre intérieur 0.8V ~ 3.6V
• Courant d'entrée de polarisation (Max) 4mA, 4mA
• Taux de Transfert de Courant (Max) 2
• Tension alternative maximale 8-DSBGA
• Intensité de Gauss 1.6V ~ 2V
• Diamètre - Barillet 0.7V ~ 0.9V
• Largeur - Intérieur 6.7ns @ 3.3V, 30pF
• 2
• 500 nA