• Modèle de produit BY25Q128ESSIG(T)
  • Marque BYTe Semiconductor
  • RoHS Yes
  • Description 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
  • Classification Mémoire
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Inventaire:11000

Détails techniques

  • Type de montage 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
  • Nombre de Tours Surface Mount
  • Q @ Fréquence 128Mbit
  • Matériau de coque Non-Volatile
  • Couple de serrage - Vis -40°C ~ 85°C (TA)
  • Diamètre intérieur 2.7V ~ 3.6V
  • Fonction - Éclairage FLASH - NOR (SLC)
  • Tension - VCCB 120 MHz
  • Mémoire FLASH
  • Tension alternative maximale 8-SOP
  • 60µs, 2.4ms
  • SPI - Quad I/O
  • 7.5 ns
  • 16M x 8
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