- Modèle de produit BY25Q16BLMIG(R)
- Marque BYTe Semiconductor
- RoHS Yes
- Description 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
- Classification Mémoire
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Inventaire:1500
Détails techniques
- Type de montage 8-UFDFN Exposed Pad
- Nombre de Tours Surface Mount
- Q @ Fréquence 16Mbit
- Matériau de coque Non-Volatile
- Couple de serrage - Vis -40°C ~ 85°C (TA)
- Diamètre intérieur 1.65V ~ 2V
- Fonction - Éclairage FLASH - NOR (SLC)
- Tension - VCCB 108 MHz
- Mémoire FLASH
- Tension alternative maximale 8-USON (2x3)
- 3ms
- SPI - Quad I/O
- 8 ns
- 2M x 8