技術的な詳細

• 実装タイプ 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 巻数 Through Hole
• Q @ 周波数 4Mbit
• シェル材料 Non-Volatile
• トルク - スクリュー -40°C ~ 85°C (TA)
• 直径 - 内部 4.5V ~ 5.5V
• 機能 - 照明 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• メモリ NVSRAM
• 最大AC電圧 32-EDIP
• 70ns
• Parallel
• 70 ns
• 512K x 8
• Not Verified