技術的な詳細

• 周波数範囲 Leap Year, NVSRAM
• 実装タイプ 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 巻数 Through Hole
• Q @ 周波数 512KB
• インサート材料 Parallel
• 誘電体材料 Phantom Time Chip
• トルク - スクリュー 0°C ~ 70°C
• 直径 - 内部 2.97V ~ 3.63V
• 行間隔 - マッチング HH:MM:SS:hh (12/24 hr)
• ロードされたポジション数 YY-MM-DD-dd
• 最大AC電圧 32-EDIP
• ベースオイル 7mA @ 3.3V
• Not Verified