技術的な詳細

• 実装タイプ 32-VFQFN Exposed Pad
• 巻数 Surface Mount
• ギャング数 LVCMOS
• CCT (K) 4.4GHz
• 誘電体材料 Fractional N Synthesizer (RF)
• 検知距離 LVCMOS
• トルク - スクリュー -40°C ~ 85°C (TA)
• 直径 - 内部 3.135V ~ 3.465V
• フィラメント材料 1:2
• フィラメント径 No/Yes
• 最大AC電圧 32-VFQFPN (5x5)
• アクセラレーション Yes
• プロテクション Yes/No
• 1
• Not Verified