技術的な詳細

• 実装タイプ 200-TFBGA
• 巻数 Surface Mount
• Q @ 周波数 8Gbit
• シェル材料 Volatile
• トルク - スクリュー -30°C ~ 85°C (TC)
• 直径 - 内部 1.06V ~ 1.17V
• 機能 - 照明 SDRAM - Mobile LPDDR4X
• 电压 - VCCB 2.133 GHz
• メモリ DRAM
• 最大AC電圧 200-TFBGA (10x14.5)
• 18ns
• Parallel
• 3.5 ns
• 256M x 32
• Not Verified