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技術的な詳細

  • 実装タイプ 90-TFBGA
  • 巻数 Surface Mount
  • Q @ 周波数 256Mbit
  • シェル材料 Volatile
  • トルク - スクリュー -40°C ~ 85°C (TA)
  • 直径 - 内部 1.7V ~ 1.95V
  • 機能 - 照明 SDRAM - Mobile LPDDR
  • 电压 - VCCB 166 MHz
  • メモリ DRAM
  • 最大AC電圧 90-TFBGA (8x13)
  • 15ns
  • LVCMOS
  • 5.5 ns
  • 8M x 32

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256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1

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