技術的な詳細

• 実装タイプ 8-XFBGA, DSBGA
• 巻数 Surface Mount
• 電圧 NAND Gate
• トルク - スクリュー -40°C ~ 85°C
• 直径 - 内部 0.8V ~ 3.6V
• 電流 - 入力バイアス（最大） 4mA, 4mA
• 電流伝達比（最大） 2
• 最大AC電圧 8-DSBGA
• ガウス強度 1.6V ~ 2V
• 直径 - バレル 0.7V ~ 0.9V
• 幅 - 内側 6.7ns @ 3.3V, 30pF
• 2
• 500 nA