技術的な詳細

• 実装タイプ 100-VFBGA
• 巻数 Surface Mount
• Q @ 周波数 1Gbit
• シェル材料 Volatile
• トルク - スクリュー -40°C ~ 105°C (TC)
• 直径 - 内部 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
• 機能 - 照明 SDRAM - Mobile LPDDR4
• 电压 - VCCB 1.867 GHz
• メモリ DRAM
• 最大AC電圧 100-VFBGA (10x7.5)
• 18ns
• LVSTL_11
• 3.6 ns
• 64M x 16