技術的な詳細

• 実装タイプ 8-XFDFN
• 巻数 Surface Mount
• 電圧 NAND Gate
• トルク - スクリュー -40°C ~ 125°C
• 直径 - 内部 1.65V ~ 5.5V
• 電流 - 入力バイアス（最大） 32mA, 32mA
• 電流伝達比（最大） 2
• 最大AC電圧 X2-DFN2010-8
• ガウス強度 1.07V ~ 3.85V
• 直径 - バレル 0.58V ~ 1.65V
• 幅 - 内側 4.2ns @ 5V, 50pF
• 2
• 40 µA