재고:20310

기술적 세부 사항

  • 장착 유형 96-TFBGA
  • 턴 수 Surface Mount
  • Q @ 주파수 4Gbit
  • 쉘 재료 Volatile
  • 토크 - 나사 0°C ~ 95°C (TC)
  • 직경 - 내부 1.425V ~ 1.575V
  • 기능 - 조명 SDRAM - DDR3
  • 전압 - VCCB 800 MHz
  • 메모리 DRAM
  • 최대 교류 전압 96-TWBGA (9x13)
  • 15ns
  • Parallel
  • 20 ns
  • 256M x 16
  • Not Verified

관련 제품


300MA 3.3V, CMOS LDO REGULATORSF

재고: 1343

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

재고: 0

IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA

재고: 19624

IC RTC TEMPERAT CLK/CAL I2C 8SON

재고: 12776

8G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT

재고: 8

Top