기술적 세부 사항

• 장착 유형 96-TFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 4Gbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 0°C ~ 95°C (TC)
• 직경 - 내부 1.283V ~ 1.45V
• 기능 - 조명 SDRAM - DDR3L
• 전압 - VCCB 800 MHz
• 메모리 DRAM
• 최대 교류 전압 96-TWBGA (9x13)
• 15ns
• Parallel
• 20 ns
• 256M x 16
• Not Verified