- 제품 모델 MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR
- 브랜드 Micron Technology
- RoHS Yes
- 설명 IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA
- 분류 메모리
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재고:1500
기술적 세부 사항
- 장착 유형 200-WFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 4Gbit
- 쉘 재료 Volatile
- 토크 - 나사 -30°C ~ 85°C (TC)
- 직경 - 내부 1.1V
- 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPDDR4
- 전압 - VCCB 2.133 GHz
- 메모리 DRAM
- 최대 교류 전압 200-WFBGA (10x14.5)
- 256M x 16
- Not Verified
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