• 제품 모델 MT53E128M32D2DS-053 WT:A
  • 브랜드 Micron Technology
  • RoHS Yes
  • 설명 IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
  • 분류 메모리
  • PDF
재고:3110

기술적 세부 사항

  • 장착 유형 200-WFBGA
  • 턴 수 Surface Mount
  • Q @ 주파수 4Gbit
  • 쉘 재료 Volatile
  • 토크 - 나사 -30°C ~ 85°C (TC)
  • 직경 - 내부 1.1V
  • 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 전압 - VCCB 1.866 GHz
  • 메모리 DRAM
  • 최대 교류 전압 200-WFBGA (10x14.5)
  • 128M x 32
  • Not Verified

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