기술적 세부 사항

• 장착 유형 32-DIP Module (0.610", 15.49mm)
• 턴 수 Through Hole
• Q @ 주파수 4Mbit
• 쉘 재료 Non-Volatile
• 토크 - 나사 0°C ~ 70°C (TA)
• 직경 - 내부 4.5V ~ 5.5V
• 기능 - 조명 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 NVSRAM
• 최대 교류 전압 32-DIP Module (18.42x42.8)
• 85ns
• Parallel
• 85 ns
• 512K x 8
• Not Verified