기술적 세부 사항

• 전압 NAND Gate
• 토크 - 나사 -55°C ~ 125°C
• 직경 - 내부 2V ~ 6V
• 전류 - 입력 바이어스 (최대) 5.2mA, 5.2mA
• 전류 전달비 (최대) 3
• 가우스 강도 1.5V ~ 4.2V
• 직경 - 배럴 0.5V ~ 1.8V
• 폭 - 내부 17ns @ 6V, 50pF
• 3
• 2 µA