기술적 세부 사항

• 주파수 범위 Leap Year, NVSRAM
• 장착 유형 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 턴 수 Through Hole
• Q @ 주파수 128KB
• 삽입 재료 Parallel
• 유전체 재료 Phantom Time Chip
• 토크 - 나사 0°C ~ 70°C
• 직경 - 내부 2.97V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V
• 행 간격 - 결합 HH:MM:SS:hh (12/24 hr)
• 로드된 포지션 수 YY-MM-DD-dd
• 최대 교류 전압 32-EDIP
• 직경 - 외부, 비확장 Integrated
• 베이스 오일 10mA @ 5V
• Not Verified