기술적 세부 사항

• 장착 유형 8-WDFN Exposed Pad
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 8Mbit
• 쉘 재료 Non-Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 105°C
• 직경 - 내부 2.7V ~ 3.6V
• 기능 - 조명 MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 전압 - VCCB 108 MHz
• 메모리 RAM
• 최대 교류 전압 8-DFN (5x6)
• 2M x 4
• Not Verified