기술적 세부 사항

• 장착 유형 11-XFBGA, WLBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 8Mbit
• 쉘 재료 Non-Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
• 직경 - 내부 1.6V ~ 3.6V
• 기능 - 조명 ReRAM (Resistive RAM)
• 전압 - VCCB 10 MHz
• 메모리 RAM
• 최대 교류 전압 11-WLP (2.07x2.88)
• 10ms
• SPI
• 35 ns
• 1M x 8
• Not Verified