재고:1634

기술적 세부 사항

  • 장착 유형 200-TFBGA
  • 턴 수 Surface Mount
  • Q @ 주파수 2Gbit
  • 쉘 재료 Volatile
  • 토크 - 나사 -40°C ~ 95°C (TC)
  • 직경 - 내부 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
  • 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 전압 - VCCB 1.6 GHz
  • 메모리 DRAM
  • 최대 교류 전압 200-TFBGA (10x14.5)
  • LVSTL
  • 128M x 16
  • Not Verified

관련 제품


IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA

재고: 118

2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4

재고: 0

IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA

재고: 65

4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4

재고: 10

IC DRAM 8GBIT PARALLEL 200TFBGA

재고: 266

IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

재고: 1211

IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ WFBGA

재고: 1883

LPDDR4 2GB X16 3200MHZ CL22 10X1

재고: 2000

IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA

재고: 0

Top