기술적 세부 사항

• Q @ 주파수 16Gbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 105°C (TC)
• 직경 - 내부 1.14V ~ 1.26V
• 기능 - 조명 SDRAM - DDR4
• 전압 - VCCB 1.6 GHz
• 메모리 DRAM
• 직경 - 숄더 Automotive
• 15ns
• Parallel
• 19 ns
• 2G x 8
• Not Verified
• AEC-Q100