기술적 세부 사항

• 장착 유형 200-TFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 8Gbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 95°C (TC)
• 직경 - 내부 1.06V ~ 1.17V
• 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPDDR4X
• 전압 - VCCB 2.133 GHz
• 메모리 DRAM
• 최대 교류 전압 200-TFBGA (10x14.5)
• 18ns
• Parallel
• 3.5 ns
• 256M x 32
• Not Verified