기술적 세부 사항

• 장착 유형 60-TFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 2Gbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 0°C ~ 85°C (TC)
• 직경 - 내부 1.7V ~ 1.9V
• 기능 - 조명 SDRAM - DDR2
• 전압 - VCCB 333 MHz
• 메모리 DRAM
• 최대 교류 전압 60-TWBGA (8x10.5)
• 15ns
• Parallel
• 450 ps
• 256M x 8
• Not Verified