- 제품 모델 IS43LR16128B-6BLI-TR
- 브랜드 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- RoHS Yes
- 설명 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1
- 분류 메모리
재고:1500
기술적 세부 사항
- 장착 유형 60-TFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 2Gbit
- 쉘 재료 Volatile
- 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
- 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
- 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPDDR
- 전압 - VCCB 166 MHz
- 메모리 DRAM
- 최대 교류 전압 60-TFBGA (8x10)
- 15ns
- Parallel
- 5 ns
- 128M x 16
관련 제품
2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1
재고: 0
IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
재고: 2604
