재고:1500

기술적 세부 사항

  • 장착 유형 90-TFBGA
  • 턴 수 Surface Mount
  • Q @ 주파수 256Mbit
  • 쉘 재료 Volatile
  • 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
  • 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
  • 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPDDR
  • 전압 - VCCB 166 MHz
  • 메모리 DRAM
  • 최대 교류 전압 90-TFBGA (8x13)
  • 15ns
  • LVCMOS
  • 5.5 ns
  • 8M x 32

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256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1

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