기술적 세부 사항

• 장착 유형 78-TFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 8Gbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 95°C (TC)
• 직경 - 내부 1.425V ~ 1.575V
• 기능 - 조명 SDRAM - DDR3
• 전압 - VCCB 800 MHz
• 메모리 DRAM
• 최대 교류 전압 78-TWBGA (10x14)
• 15ns
• Parallel
• 20 ns
• 1G x 8