기술적 세부 사항

• 장착 유형 96-TFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 4Gbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 105°C (TC)
• 직경 - 내부 1.425V ~ 1.575V
• 기능 - 조명 SDRAM - DDR3
• 전압 - VCCB 933 MHz
• 메모리 DRAM
• 최대 교류 전압 96-TWBGA (9x13)
• 직경 - 숄더 Automotive
• 15ns
• Parallel
• 20 ns
• 256M x 16
• AEC-Q100