기술적 세부 사항

• 장착 유형 8-WDFN Exposed Pad
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 4Gbit
• 쉘 재료 Non-Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
• 직경 - 내부 2.7V ~ 3.6V
• 기능 - 조명 FLASH - NAND (SLC)
• 전압 - VCCB 104 MHz
• 메모리 FLASH
• 최대 교류 전압 8-WSON (8x6)
• 800µs
• SPI
• 8 ns
• 1G x 4