기술적 세부 사항

• 장착 유형 112-LFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• 주파수 - 자기 공진 450MHz
• 토크 - 나사 -40°C ~ 110°C (TJ)
• 전압 - 출력 3 Internal
• 최소 부하 필요량 ROMless
• 셸 플레이팅 ARM® Cortex®-R4F
• 채널 커패시턴스 (CS(off), CD(off)) A/D 16x12b
• 다이오드 구성 32-Bit
• 발광 표면 (LES) 1.14V ~ 3.6V
• 길이 - 팁 CSI, I2C, SPI, UART/USART
• 재료 - 팁 DMA, POR, PWM, WDT
• 최대 교류 전압 112-FBGA (6x6)
• 51