기술적 세부 사항

• 장착 유형 96-TFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 1Gbit
• 쉘 재료 Non-Volatile
• 토크 - 나사 0°C ~ 85°C (TC)
• 직경 - 내부 1.14V ~ 1.26V
• 기능 - 조명 MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 전압 - VCCB 667 MHz
• 메모리 RAM
• 최대 교류 전압 96-BGA (10x13)
• 15ns
• Parallel
• 18 ns
• 128M x 8