- 제품 모델 THGJFJT2T85BAT0
- 브랜드 Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- 설명 512GB UFS V4.0
- 분류 메모리
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기술적 세부 사항
- 장착 유형 153-BGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 4Tbit
- 쉘 재료 Non-Volatile
- 토크 - 나사 -25°C ~ 85°C
- 직경 - 내부 2.4V ~ 2.7V
- 기능 - 조명 FLASH - NAND
- 전압 - VCCB 2.32 GHz
- 메모리 FLASH
- 최대 교류 전압 153-BGA (11x13)
- UFS 4.0
- 512G x 8