기술적 세부 사항

• 장착 유형 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 8Mbit
• 쉘 재료 Non-Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 105°C (TA)
• 직경 - 내부 1.6V ~ 3.6V
• 기능 - 조명 EEPROM
• 전압 - VCCB 80 MHz
• 메모리 EEPROM
• 최대 교류 전압 8-SO
• 1.5ms
• SPI - Quad I/O
• 10 ns
• 1M x 8