기술적 세부 사항

• 장착 유형 8-WDFN Exposed Pad
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 1Gbit
• 쉘 재료 Non-Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
• 직경 - 내부 2.7V ~ 3.6V
• 기능 - 조명 FLASH - NAND (SLC)
• 전압 - VCCB 133 MHz
• 메모리 FLASH
• 최대 교류 전압 8-WSON (6x8)
• 600µs
• SPI - Quad I/O, DTR
• 7 ns
• 128M x 8