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기술적 세부 사항

  • 장착 유형 100-VFBGA
  • 턴 수 Surface Mount
  • Q @ 주파수 1Gbit
  • 쉘 재료 Volatile
  • 토크 - 나사 -40°C ~ 105°C (TC)
  • 직경 - 내부 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
  • 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 전압 - VCCB 1.867 GHz
  • 메모리 DRAM
  • 최대 교류 전압 100-VFBGA (10x7.5)
  • 18ns
  • LVSTL_11
  • 3.6 ns
  • 64M x 16

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