- 제품 모델 BY25Q128ASSJG(T)
- 브랜드 BYTe Semiconductor
- RoHS Yes
- 설명 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
- 분류 메모리
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재고:1500
기술적 세부 사항
- 장착 유형 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 128Mbit
- 쉘 재료 Non-Volatile
- 토크 - 나사 -40°C ~ 105°C (TA)
- 직경 - 내부 2.7V ~ 3.6V
- 기능 - 조명 FLASH - NOR (SLC)
- 전압 - VCCB 108 MHz
- 메모리 FLASH
- 최대 교류 전압 8-SOP
- 50µs, 2.4ms
- SPI - Quad I/O
- 7 ns
- 16M x 8