기술적 세부 사항

• 장착 유형 8-VDFN Exposed Pad
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 4Mbit
• 쉘 재료 Non-Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
• 직경 - 내부 3V ~ 3.6V
• 기능 - 조명 MRAM (Magnetoresistive RAM)
• 전압 - VCCB 40 MHz
• 메모리 RAM
• 최대 교류 전압 8-DFN-EP, Large Flag (5x6)
• SPI
• 512K x 8
• Not Verified