기술적 세부 사항

• 장착 유형 48-WFQFN Exposed Pad
• 와이어 게이지 2
• 턴 수 Surface Mount
• 갱 수 LVCMOS, LVDS, LVPECL
• 유전체 재료 Fanout Buffer (Distribution), Divider, Multiplexer
• 센싱 거리 LVCMOS, LVDS, LVPECL, RF Sinewave
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C
• 직경 - 내부 3.15V ~ 3.45V
• 필라멘트 재료 1:8, 1:6
• 필라멘트 직경 Yes/Yes
• 최대 교류 전압 48-WQFN (7x7)
• 3.1 GHz