- 제품 모델 AS4C4M32S-6BINTR
- 브랜드 Alliance Memory, Inc.
- RoHS Yes
- 설명 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
- 분류 메모리
-
PDF
재고:1500
기술적 세부 사항
- 장착 유형 90-TFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 128Mbit
- 쉘 재료 Volatile
- 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
- 직경 - 내부 3V ~ 3.6V
- 기능 - 조명 SDRAM
- 전압 - VCCB 166 MHz
- 메모리 DRAM
- 최대 교류 전압 90-TFBGA (8x13)
- 2ns
- Parallel
- 5.4 ns
- 4M x 32
- Not Verified
관련 제품
IC OPAMP RF/IF DIFF 1CIR 16LFCSP
재고: 0
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
재고: 12393
IC AMP CLASS AB MONO 3.1W 8MSOP
재고: 3686
IC REG LINEAR 3V 400MA SOT23-5
재고: 3944
